AOTF晶體輸出的光束是有旁瓣的,由于旁瓣的空間分布與主峰不同,所以通??梢酝ㄟ^(guò)在光路中插入一個(gè)小孔徑光闌,或者耦合到單模光纖后輸出,對(duì)光束進(jìn)行空間濾波。
空間光輸出時(shí):為了優(yōu)化輸出光束的質(zhì)量,通過(guò)一個(gè)小孔徑光闌對(duì)其進(jìn)行濾波。圖9顯示了單個(gè)AOTF通道的光譜輸出與孔徑大小的函數(shù)關(guān)系。無(wú)孔時(shí),主峰兩側(cè)各有多個(gè)側(cè)葉。減小孔徑的大小會(huì)降低旁瓣的功率。功率先在外瓣下降,然后在內(nèi)瓣下降,最后在主瓣下降。
在實(shí)際應(yīng)用中,一階旁瓣的功率與主峰的功率是耦合的,因此在不顯著降低主峰功率的情況下,阻斷一階旁瓣是不可能的。最佳孔徑出現(xiàn)在主峰和一階旁瓣透射時(shí),而高階旁瓣受到很大的削弱。
光纖耦合輸出:將傳導(dǎo)光纖通過(guò)CONNECT連接到 SELECT輸出口上,這時(shí)單模光纖作為一個(gè)空間濾波器。在這種情況下,旁瓣也能獲得很好的抑制,抑制深度將取決于傳輸光纖的數(shù)值孔徑。
RF驅(qū)動(dòng)功率問(wèn)題:SELECT的射頻功率是需要考慮的一個(gè)重要因素。隨著射頻功率的增加,所選波長(zhǎng)的中心峰值逐漸增加到一個(gè)點(diǎn)。超過(guò)這一點(diǎn),增加射頻功率會(huì)導(dǎo)致旁帶功率增加,而不是中央峰值功率。如圖10所示,超過(guò)中心峰值不增加的射頻功率電平稱(chēng)為最佳射頻功率▼
在圖10中,紅色曲線(xiàn)是最優(yōu)的,而綠色和藍(lán)色曲線(xiàn)是當(dāng)射頻功率水平超過(guò)最優(yōu)時(shí)的結(jié)果。旁帶功率增大,中心峰幅值反而減小??傊厧Ш椭行姆逯抵g的功率比由所選配置和運(yùn)行參數(shù)決定。例如,所選擇的波長(zhǎng),射頻功率和所使用的射頻電纜長(zhǎng)度。
值得注意的是,在軟件設(shè)置選項(xiàng)中輸出晶體的RF功率模式都要選擇Normal模式,圖11所示,這個(gè)模式已經(jīng)在NKT工廠(chǎng)進(jìn)行了上述射頻功率曲線(xiàn)矯正優(yōu)化,除非要交換某些硬件,否則不需要進(jìn)一步優(yōu)化。只有當(dāng)一個(gè)新的AOTF晶體或新的外部RF驅(qū)動(dòng)器被添加到SELECT時(shí),才使用Overdrive模式。在這些情況下,在工廠(chǎng)設(shè)置的最佳射頻功率校準(zhǔn)曲線(xiàn)不再有效,可能需要進(jìn)行新的校準(zhǔn)。